下一次芯片工艺的技术突破要来了。
「垂直晶体管技术突破可以帮助半导体行业继续其前进道路，实现重大改进，包括全新的芯片架构，待机时间长达一周的手机，更低能耗的 IoT 设备等等。」本周二，IBM 和三星提出了一种全新芯片制造工艺 VTFET，相比 FinFET 可以有两倍性能提升，或者减少 85% 能耗。
在试图把更多晶体管装入有限空间的努力过程中，VTFET 工艺解决了许多以往解决不了的性能障碍。它还能让晶体管使用更大的电流，同时减少了能源浪费。
VTFET 为延续摩尔定律找到了一条途径，不知这种工艺何时能够落地，制成芯片落到我们的手中。
早在 1965 年，计算机科学家戈登 · 摩尔(Gordon Moore)首先提出假设：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过 18 个月便会增加一倍，同时计算机的运行速度和存储容量也翻一番。这就是半导体领域著名的摩尔定律。当前，可以塞进单个芯片的晶体管数量几乎达到了极限。
